DDR3 メモリ

概要

Intel製プロセッサでNehalemマイクロアーキテクチャ以降から使われるメモリでDDR3 SDRAM（Double-Data-Rate3 Synchronous Dynamic RAM）と呼称され、メモリの規格名称でもあります。PRIMERGYでは、2009年4月以降の製品、RX200 S5などのS5シリーズからのサーバが対象となります。プロセッサにメモリコントローラが内蔵され、プロセッサに直接メモリが接続される機構で、DDR3メモリが使われます。

メモリの仕様や動作、組み合わせは、モデルによって異なり規定されています。詳細はシステム構成図を参照ください。

仕様

DDR3メモリ規格

DDR3メモリ規格表
チップ規格	DIMM規格	メモリクロック（MHz）	バスクロック（MHz）	転送速度（GB/秒）
DDR3-800	PC3-6400	100	400	6.400
DDR3-1066	PC3-8500	133	533	8.533
DDR3-1333	PC3-10600	166	667	10.667
DDR3-1600	PC3-12800	200	800	12.800
DDR3-1866	PC3-14900	233	933	14.933

DDR3-xxxの「xxx」はDDRチップのデータ転送レート、PC3-yyyyの「yyyy」はDIMMモジュールの帯域幅を表します。DDR3メモリモジュールは64データビット幅なので1回ごとに8バイト転送され、帯域幅は毎秒転送量を8倍して求められます。
PRIMERGYの使用するメモリはすべてECC付きです。
DDR3 SDRAMの動作電圧は、1.5V、LVは1.35Vです。プロセッサでの混在は不可で、どちらのメモリを使うかはBIOSで設定です。
Rank
DIMMを構成するチップ（素子）容量と数で決まり、1 / 2 / 4が在ります。大容量DIMMでは 2 / 4 となり、Rank数が増えるとメモリバスの駆動負荷も増え接続制限がでます。また、Rank数が増えるとDIMM内部のメモリチップの同時動作ができるので性能は速くなります。
Registered（付）とunbuffered（無）があり、Registeredはメモリバスにバッファがあるので性能は遅くなるのですが、メモリバスの駆動能力が「1接続」となり、接続制限が緩和されます。
Load-Reduced DIMM
DIMM内部にバッファを用いることで、小さなメモリーチップを大容量のメモリーチップに見せかけるDIMMです。例えば、1GビットのDRAMが16個搭載された2Gバイトのメモリーモジュールを、バッファーを使うことで4GビットのDRAMが4個で構成されたかのように見せる技術です。DIMMの容量を数倍に拡大することができます。高速化のために、CPUのメモリチャンネルあたりに接続できるDIMM枚数は減し、LR-DIMMはその1チャンネルで扱えるメモリーチップ数を増やす技術です。