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本ページの製品は2024年4月1日より、エフサステクノロジーズ株式会社に統合となり、順次、切り替えを実施してまいります。一部、富士通表記が混在することがありますので、ご了承ください。

 

Japan

 

基本RAMモジュール変換機構
2GB : (PGBRU2EP)
4GB : (PGBRU4EP)
8GB : (PGBRU8EP)
16GB : (PGBRU16ER)
4GB : (PGBRU4ES)
8GB: (PGBRU8ES)

概要

基本RAMモジュール変換機構はカスタムメイド出荷時に標準実装のRAMモジュール(2GB UDIMM、1333MHz、Dual Rank)を、下記仕様の拡張RAMモジュールに変更して出荷するためのオプションです。

仕様

項目 仕様
品名 基本RAMモジュール変換機構 -2GB 基本RAMモジュール変換機構 -4GB 基本RAMモジュール変換機構 -8GB
型名 PGBRU2EP PGBRU4EP PGBRU8EP
メモリ仕様 構成品 2GB DIMM かける 1 4GB DIMM かける 1 8GB DIMM かける 1
種類 DDR3 1333, Registered DIMM
Rank Single Rank Dual Rank
ピン数 240ピン
項目 仕様
品名 基本RAMモジュール変換機構 -16GB 基本RAMモジュール変換機構 -4GB 基本RAMモジュール変換機構 -8GB
型名 PGBRU16ER PGBRU4ES PGBRU8ES
メモリ仕様 構成品 16GB DIMM かける 1 4GB DIMM かける 1 8GB DIMM かける 1
種類 DDR3 1066,
Registered DIMM
DDR3 1333,
LV-Registered DIMM
Rank Quad Rank Dual Rank
ピン数 240ピン

メモリ |

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