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富士通

Poynting for Microwave
静電気放電の計算例 携帯電話モデル

携帯電話における静電気放電(ESD)対策を評価した解析事例です。
携帯電話の基板のグラウンドパターンにESD対策を適用する前後での、基板上の電流の分布、および、LSI配置部での電圧波形を比較します。

携帯電話モデル

閉状態

携帯電話モデル 閉状態

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開状態

携帯電話モデル 開状態

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開閉状態と静電気ノイズの関係

閉状態

開閉状態と静電気ノイズの関係 閉状態

拡大イメージ

開状態

開閉状態と静電気ノイズの関係 開状態

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LSI配置部の電圧

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ノイズの大きさ
開状態 < 閉状態


ノイズ電流低減の対策

グラウンド分離無

ノイズ電流低減の対策 グラウンド分離無

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基板上に一様の電流が流れる

グラウンド分離有

ノイズ電流低減の対策 グラウンド分離有

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分離により誘導路が形成され基板に流れる電流が減少


ノイズ電流低減の効果

ノイズ電流低減の効果

LSIピンに発生するノイズ電圧

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Poynting for Microwave

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