FRAM 品質・信頼性

ファティーグ後のリテンション

実際のFRAMセルの使用状態においては、リテンションとファティーグは相互に関係しています。

一般的にファティーグを多く受けたメモリセルのリテンション寿命は、そうでないセルに比べて低下します。

図6にはファティーグ劣化の異なる（アクセス回数の異なる）サンプルに対して、“1”状態のデータ書き込み後のリテンション劣化モデルを示したものです。アクセス回数が多い（劣化が大きい）方が、インプリント劣化は大きくなります。

一定回数のストレスを加えた後のメモリセルを用いて、リテンションの評価をすることも信頼性上重要なことです。

図6．ヒステリシス特性のファティーグ後のリテンション特性