FAQ
その他について
- DRAM I/Fを使用する場合、AMD4/5（エリアモードレジスタ）のWTC2-0（ウェイトサイクルビット）のウェイト設定をどうすればよいですか? （対象：MB91101）
- マイコンのESDに関する信頼性はどのようになっていますか?
- 周辺ギア設定やCPUギア設定でPLLを使用した場合と、原発振分周などを使用した場合の同一周波数での消費電流は異なりますか?
- ノイズ対策にある（1）I/O、電源にコンデンサ埋め込み、（2）発振回路の最適化を行うとなぜ、ノイズ低減効果がありますか?
- コプロセッサ不在トラップなどの使用方法は?
- マニュアルには、MODピンは直接Vcc、GNDに接続するとあるが、Flash Programmerの仕様書には抵抗を介してVccに接続されています。どちらが正解ですか? Pull-up抵抗を介してVccに接続する場合は、適切な抵抗値は? （対象：MB91F156A）
1. DRAM I/Fを使用する場合、AMD4/5（エリアモードレジスタ）のWTC2-0（ウェイトサイクルビット）のウェイト設定をどうすればよいですか? （対象：MB91101）
DRAM I/Fを使用する場合は、DMCR（DRAM制御レジスタ）での設定が有効になるので、ADMのウェイト設定はCPU動作に依存しません。
2. マイコンのESDに関する信頼性はどのようになっていますか?
下記条件で管理しております。
- 人体帯電モデル（HBM、100pF、1.5kΩ） ： ±2000VのJEDEC class B
- 機械帯電モデル ： ±300VのJEDEC class 2
3. 周辺ギア設定やCPUギア設定でPLLを使用した場合と、原発振分周などを使用した場合の同一周波数での消費電流は異なりますか?
PLLでの消費はごくわずかなので、全体消費電流には響きません。そのため、基本的には同一内部クロックであれば消費電流は同じです。
4. ノイズ対策にある（1）I/O、電源にコンデンサ埋め込み、（2）発振回路の最適化を行うとなぜ、ノイズ低減効果がありますか?
（1）I/O、電源ラインにコンデンサ埋め込むことで、ノイズ成分が外部に伝搬するのを抑えられます。
（2）発振の駆動能力を最適化することで、高調波成分が少なくなります。
5. コプロセッサ不在トラップなどの使用方法は?
MB91150ではコプロセッサは未サポート（サポートしている品種今のところ無し）。コプロ未搭載のため、基本的にはコプロ制御命令を実行させると不在トラップが発生します。
6. マニュアルには、MODピンは直接Vcc、GNDに接続するとあるが、Flash Programmerの仕様書には抵抗を介してVccに接続されている。どちらが正解ですか? Pull-up抵抗を介してVccに接続する場合は、適切な抵抗値は? （対象：MB91F156A）
本来は直接Vcc/GNDに接続していただくのが望ましいですが、ノイズ等の影響もありますので、できるだけ小さい値のPull-up抵抗を接続してください。