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概要

FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）は、データ保持に強誘電体膜を利用した不揮発性ランダムアクセスメモリです。
（富士通FRAMでは強誘電体材料としてPZTを採用しています。）

FRAMは、RAMとROMの両方の特性をあわせもっており、高速での読み出し/書き換えができ、電源を切ってもデータを保持することが可能です。

FRAMの特長をまとめると以下のとおりです。

• 高速書き換え（E²PROMの1/30,000）
• 高書き換え耐性（10¹⁰回）
• 低消費電力（E²PROMの1/400）
• 不揮発性
• 耐タンパー性