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FRAM

ニュースリリース(2007年11月12日)
FRAM搭載ASSPとして、デジタルTVなどに用いられるEDID用メモリLSIを「MB85RF402」を発売開始しました。

FRAMは、高速書き込み/長寿命/省電力のアドバンテージで、OA機器など幅広い用途で導入が進んでいます。


新製品 FRAM搭載EDID用メモリLSI 「MB85RF402」

MB85RF402はDDCインタフェースを4ch搭載した2KビットFRAMです。
デジタルテレビに搭載される複数のHDMIポートに必要なEDIDメモリをワンチップで対応します。


特長

  • 4ch DDC(I2C)インタフェース搭載
    最大4ポートまでのHDMI(DVI)ポートに対応。部品点数の削減・実装面積の削減を実現し、 コストダウンへ寄与します。
  • 不揮発性メモリFRAMを搭載
    高速な読み書きが特長の不揮発性メモリであるFRAMを搭載。書き込み時間短縮による 製造コストの削減へ寄与します。
  • HDMIポート固有情報を自動識別/変換出力
    HDMIポート毎にデータが異なる部分を自動検索・変換出力するHDMIに特化した技術を 採用しています。

主な仕様

型格 MB85RF402
メモリ容量(ビット構成) 2Kビット(256ワード×8ビット)
データ書き換え耐性 100億回
電源電圧 3.8 ~ 5.5 V
動作温度範囲 0 ~ +70 ℃
DDC 4ch I2C時100K,400Kbps対応
パッケージ TSSOP-16 4.96mm×4.4mm(端子部を除く)

動作イメージ

DVDプレーヤ/レコーダ、次世代DVD、ゲーム機、デジタルビデオなどHDMI出力を装備したソース機器の拡がりにより、デジタルTVやディスプレイのHDMIポート数は増加の一途をたどっています。これからはHDMIポートを増やしてもE2PROMを増やす必要はありません。


MB85RF402の動作イメージ

DDCはVideo Electronics Standard Association(VESA)の商標です。
HDMI,HDMIロゴおよびHigh-Definition Multimedia InterfaceはHDMI licensing LLCの商標または登録商標です。



製品紹介

  • 概要
  • 応用
  • 製品ラインナップ

ドキュメント

  • カタログ
  • ガイドブック

品質・技術

  • 品質・信頼性保証
  • 技術解説

概要

FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)は、データ保持に強誘電体膜を利用した不揮発性ランダムアクセスメモリです。
(富士通FRAMでは強誘電体材料としてPZTを採用しています。)

FRAMは、RAMとROMの両方の特性をあわせもっており、高速での読み出し/書き換えができ、電源を切ってもデータを保持することが可能です。

FRAMの特長をまとめると以下のとおりです。

  • 高速書き換え(E2PROMの1/30,000)
  • 高書き換え耐性(1010回)
  • 低消費電力(E2PROMの1/400)
  • 不揮発性
  • 耐タンパー性

 [半導体メモリの分類]
半導体メモリの分類

 [メモリ別の集積度と書き換え耐性]
メモリ別の集積度と書き換え耐性

 [PZTの結晶構造]
PZTの結晶構造

応用

FRAMは高いセキュリティや低消費電力を必要とするデバイスに最適です。富士通は、世界ではじめてマイコンにFRAMを搭載し、既に乗車券、市民カード、アミューズメント、個人認証などのスマートカード市場に展開しています。またその応用製品はセキュリティデバイス、 RFIDタグ、BBSRAMなどへと広がっています。

  • スマートカード
    高速書き換えの特性を利用することで、FRAMはスマートカード、特にJavaカードへの応用に最適です。現在Javaカードが広く普及するための障壁となっているのは、不揮発性メモリとスマートカードのI/Oインターフェースの速度が低いことです。これら2つの問題を解決することができるため、 FRAMはスマートカード用不揮発性メモリに最適です。
  • BBSRAM(バッテリーバックアップSRAM)の置換え
    BBSRAMはSRAMとバッテリー(電池)から構成されます。そのためBBSRAMは高価で、かつ環境負荷を高くします。 FRAMはこの両方の問題を解決します。FRAMはバッテリーを必要としないので、SRAMとバッテリーの2つの構成要素を同時に置き換えることができます。これはユーザーに対し、安価なコスト、メンテナンスフリー、そして環境負荷を低くする、という3つのメリットを提供します。
  • RFIDタグ
    FRAMは、RFIDタグ用チップに最適なメモリです。
    • 通信距離
      FRAMの低消費電流特性は、チップ回路全体の消費電流に貢献し、通信特性の向上を可能にします。
    • スピード
      FRAMの高速書換え特性は、必要情報の書き込み時間短縮を可能にします。
    • コスト
      FRAMはCMOSロジックプロセスとの相性が良い為、他のメモリに比べ、低コスト製造が可能です。
    • 高頻度書き換え耐性
      FRAMは約100億回の読み書きが可能で、頻繁にデータの書き換えを行うようなアプリケーションに最適です。

製品ラインナップ

以下にFRAM搭載製品の仕様をカテゴリー別に示します。
各製品の詳細につきましては、営業部門もしくはお近くの「国内営業拠点」までお気軽にお問い合わせください。

FRAM単体メモリ

型格 FRAM 構成(W x b) I/F アクセスタイム(Max.) クロックスピード(Max.) 電源電圧 動作温度 資料へのリンク
MB85R256*1 256K ビット 32K x 8 Parallel 150ns - 3.0~3.6V -40~85℃ -
MB85R256H 256K ビット 32K x 8 Parallel 70ns - 2.7~3.6V -40~85℃ PDF データシート
MB85RS256 256K ビット 32K x 8 SPI*2 - 15MHz 3.0~3.6V -20~85℃ PDF データシート
MB85R1001 1M ビット 128K x 8 Parallel 100ns - 3.0~3.6V -20~85℃ PDF データシート
MB85R1002 1M ビット 64K x 16 Parallel 100ns - 3.0~3.6V -20~85℃ PDF データシート
MB85R2001 2M ビット 256K x 8 Parallel 100ns - 3.0~3.6V -20~85℃ PDF データシート
MB85R2002 2M ビット 128K x 16 Parallel 100ns - 3.0~3.6V -20~85℃ PDF データシート

*1 MB85R256:互換品であるMB85R256Hをご検討ください。
*2 SPI: Serial Peripheral Interface

FRAM搭載ASSP

デジタルTV向けEDID用メモリLSI

型格 FRAM I/F 資料へのリンク
MB85RF402 2Kビット DDC(I2C) 4チャンネル搭載 PDF データシート

RFIDタグ用LSI(FerVID familyTM)

型格 対応周波数帯 FRAM I/F 資料へのリンク
MB89R118 13.56MHz帯 2Kバイト 非接触(ISO 15693) PDF データシート
MB89R119 13.56MHz帯 256バイト 非接触(ISO 15693) PDF データシート
MB97R8010 UHF帯 1Kバイト 非接触(ISO 18000-6 TypeB) PDF データシート
MB97R8020 UHF帯 256バイト 非接触(ISO 18000-6 TypeB) PDF データシート

スマートカード用LSI(8ビット)

型格 CPU FRAM ROM RAM 暗号 I/F 資料へのリンク
MB89R076 8ビット 4Kバイト 32Kバイト 512バイト DES 非接触(ISO 14443TypeB) PDF ハードウェアマニュアル

スマートカード用LSI(32ビット)HIFERRONTMシリーズ

型格 CPU FRAM ROM RAM 暗号 I/F 資料へのリンク
MB94R215B 32ビット 32Kバイト 128Kバイト 8Kバイト DES, RSA コンビ
(ISO 7816,ISO 14443TypeB)
PDF データシート

セキュリティLSI

型格 CPU FRAM ROM RAM 暗号 I/F 資料へのリンク
MB89R907A 8ビット 4Kバイト 32Kバイト 1Kバイト ECC - PDF ハードウェアマニュアル