FRAM

FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）は、データ保持に強誘電体膜を利用した不揮発性ランダムアクセスメモリです。
（富士通FRAMでは強誘電体材料としてPZTを採用しています。）

FRAMは、RAMとROMの両方の特性をあわせもっており、高速での読み出し/書き換えができ、電源を切ってもデータを保持することが可能です。

FRAMの特長をまとめると以下のとおりです。

• 高速書き換え（E²PROMの1/30,000）
• 高書き換え耐性（10¹⁰回）
• 低消費電力（E²PROMの1/400）
• 不揮発性
• 耐タンパー性

応用

FRAMは高いセキュリティや低消費電力を必要とするデバイスに最適です。富士通は、世界ではじめてマイコンにFRAMを搭載し、既に乗車券、市民カード、アミューズメント、個人認証などのスマートカード市場に展開しています。またその応用製品はセキュリティデバイス、 RFIDタグ、BBSRAMなどへと広がっています。

• FRAMマイコン
• スマートカード
  高速書き換えの特性を利用することで、FRAMはスマートカード、特にJavaカードへの応用に最適です。現在Javaカードが広く普及するための障壁となっているのは、不揮発性メモリとスマートカードのI/Oインターフェースの速度が低いことです。これら2つの問題を解決することができるため、 FRAMはスマートカード用不揮発性メモリに最適です。
• BBSRAM（バッテリーバックアップSRAM）の置換え
  BBSRAMはSRAMとバッテリー（電池）から構成されます。そのためBBSRAMは高価で、かつ環境負荷を高くします。 FRAMはこの両方の問題を解決します。FRAMはバッテリーを必要としないので、SRAMとバッテリーの2つの構成要素を同時に置き換えることができます。これはユーザーに対し、安価なコスト、メンテナンスフリー、そして環境負荷を低くする、という3つのメリットを提供します。
• RFIDタグ
  FRAMは、RFIDタグ用チップに最適なメモリです。
  
  • 通信距離
    FRAMの低消費電流特性は、チップ回路全体の消費電流に貢献し、通信特性の向上を可能にします。
  • スピード
    FRAMの高速書換え特性は、必要情報の書き込み時間短縮を可能にします。
  • コスト
    FRAMはCMOSロジックプロセスとの相性が良い為、他のメモリに比べ、低コスト製造が可能です。
  • 高頻度書き換え耐性
    FRAMは約100億回の読み書きが可能で、頻繁にデータの書き換えを行うようなアプリケーションに最適です。

製品ラインナップ

以下にFRAM搭載製品の仕様をカテゴリー別に示します。
各製品の詳細につきましては、お気軽にお問い合わせください。

*1 SPI: Serial Peripheral Interface