125℃動作のSiP向けメモリ
当社は、125℃で動作するSiP向けLow Power DDR SDRAMとして、256Mビットおよび512MビットのコンシューマFCRAMを提供しています。動作温度範囲を大幅に拡大したことで、汎用DDRメモリでは難しかった消費電力が大きなSoCとのSiPができるようになり、デジタルテレビやデジタルビデオカメラなどの高性能デジタル家電へのSiPの適用を拡大することができます。
125℃動作品を開発した理由
［背景］
125℃動作品を開発した背景には、デジタル家電向けに メモリとSoCを1パッケージに搭載したSiPの要求が増えていることが関係しています。
まずは、SiP ソリューションをご参照下さい。
［SiP開発の課題］
SoCの消費電力が増加するのにつれて発熱量も増加するため、SiPでは、メモリがSoCからの発熱により大きな影響を受けます。メモリと消費電力が大きなSoCをSiPにする場合、最大95℃動作の汎用SDRAMでは耐熱性の問題によりSiP化できないケースがありました。そのため、SiPの開発者からはメモリの最大動作温度を拡張して欲しいとの要望がありました。
［解決策］
このような要求に対して、動作温度を拡張した125℃動作のコンシューマFCRAMを開発しました。
最大125℃動作により、消費電力の大きなSoCとメモリのSiPにおいて、熱設計の課題を解消できます。
PDF メモリのSiPへの熱設計事例 （68KB）
図（a）：
SoCの消費電力が大きくSiPの温度が105℃となり、メモリの動作温度上限（95℃）を満たせないため、SiPはNGとなります。
図（b）：
ヒートシンクなどの放熱部品を追加することにより、SiPの温度を下げることは可能ですが、コストが上昇します。
図（c）：
125℃対応のFCRAMを使用することにより、SiPの温度が105℃となっても動作可能ですので、放熱部品も必要ありません。
125℃動作のFCRAMだからできること
SiPの実現が可能
- メモリの耐熱性の問題を解消
放熱部品が不要
- ヒートシンクやヒートスプレッダの放熱コスト削減
125℃動作品のコンシューマFCRAM製品
| 容量 | インタフェース | 構成(word x bit x bank) |
電源電圧 | 動作温度 | バースト動作 周波数 （125℃動作時） |
データ転送レート （125℃動作時） |
製品型格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 256Mビット | DDR | 1M x 64 x 4 |
1.8V | -10℃～+125℃ | 200MHz | 3.2GByte/s | MB81EDS256545 |
| 512Mビット | DDR | 2M x 64 x 4 |
1.8V | -10℃～+125℃ | 200MHz | 3.2GByte/s | MB81EDS516545 |
| FCRAMのお問い合せ |
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