デジタル家電向け低消費電力メモリ
(x64, Low Power DDR SDRAM)
SiP用途 512Mビット コンシューマFCRAM
はじめに
512Mビット コンシューマFCRAMは、125℃動作、低消費電力、高データバンド幅を特長とした、SiPに最適なメモリです。本製品により、高速メモリのSiP化が容易になり、デジタル家電のシステム設計に最適な価値とコストソリューションを提供します。
製品の特長
本製品は、125℃動作、低消費電力、高データバンド幅を特長とし、デジタルビデオカメラやデジタルテレビに必要な高速メモリをSiPとして1パッケージに統合することを可能にした製品です。業界初の125℃動作の実現により、メモリのSiPへの適用範囲を大幅に拡大できます。
最大125℃動作
- 動作温度が最大95℃のDDR2 SDRAMやLow Power DDR SDRAMなどの汎用メモリでは、消費電力の大きなSoCとのSiPが難しいケースがありましたが、最大125℃の本製品によってメモリのSiPの適用を拡大できます。
PDF メモリのSiPへの熱設計事例 [68KB]
低消費電力
- バス幅を64ビットにすることにより動作周波数を低くできるため、終端抵抗がなくても高データバンド幅の特長を確保できます。終端抵抗が不要になるので、同等性能のDDR2 SDRAMと比べて大幅に消費電力を削減できます。
- DDR2 SDRAMまたはLow Power DDR DRAMを2個動作させたときと同じ性能を、本製品1個で実現できるため、消費電力を大幅に削減できます。
PDF DDR2/LPDDRとFCRAMの消費電力比較 [61KB]
高データバンド幅
- 125℃動作時では、バス幅64ビットと最大200MHzの動作周波数により、汎用DDRメモリの2倍以上となる最大3.2Gバイト/秒のデータ転送レートを実現しています。
- 105℃以下の動作温度では、216MHzで3.46Gバイト/秒のデータ転送能力があります。
PDF 競合メモリとの特長比較 [58KB]
主な仕様
| 型格 | MB81EDS516545 | |
|---|---|---|
| メモリ構成 | 2Mワードx64ビットx4バンク | |
| インタフェース | Low Power DDR | |
| 電源電圧 | 1.7V～1.9V | |
| 動作温度（Tj） | -10℃～+125℃ | |
| バースト動作周波数 | Tj≦105℃ | 216MHz（最大） |
| Tj≦125℃ | 200MHz（最大） | |
| データ転送レート | Tj≦105℃ | 3.46Gバイト/秒（最大） |
| Tj≦125℃ | 3.2Gバイト/秒（最大） | |
テクニカルサポート
メモリ検証やアクセス検証のためのシミュレーションモデル，インタフェースをサポートするメモリコントローラ，評価用のFPGA拡張評価ボードなど、お客さまの製品開発をサポートするツールを用意しています。
サポート状況など詳細については、「FCRAMのお問い合わせ」フォームを利用してお問い合わせください。
データシート
- 主な仕様（ PDF イントロダクションシート）
メモリコントローラ
FPGA評価ボード（オプションボード）
シミュレーションモデル
- IBISモデル
- Verilogモデル
- SOMAモデル（Denali社ご提供）
- BFM（Bus Function Model）
- ESL（Electric System Level）
512Mビット コンシューマFCRAMの製品ファミリー
| 容量 （ビット） |
インタ フェース |
I/O 構成 （ビット） |
電源 電圧 （V） |
動作 周波数 （MHz） |
ジャンクション 温度Tj（℃） |
製品型格 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 512M | DDR | x 64 | 1.7～1.9 | 216 | -10 ～ +125 | MB81EDS516445 |
| MB81EDS516545 * |
*： 特殊機能追加品
| FCRAMのお問い合せ |
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