富士通

デジタル家電向け低消費電力メモリ
(x64, Low Power DDR SDRAM)
SiP用途 256Mビット コンシューマFCRAM

はじめに

256Mビット コンシューマFCRAMは、125℃動作、低消費電力、高データバンド幅を特長とした、SiPに最適なメモリです。本製品により、高速メモリのSiP化が容易になり、デジタル家電のシステム設計に最適な価値とコストソリューションを提供します。

製品の特長

本製品は、125℃動作、低消費電力、高データバンド幅を特長とし、デジタルビデオカメラやデジタルテレビに必要な高速メモリをSiPとして1パッケージに統合することを可能にした製品です。業界初の125℃動作の実現により、メモリのSiPへの適用範囲を大幅に拡大できます。

最大125℃動作

  • 動作温度が最大95℃のDDR2 SDRAMやLow Power DDR SDRAMなどの汎用メモリでは、消費電力の大きなSoCとのSiPが難しいケースがありましたが、最大125℃の本製品によってメモリのSiPの適用を拡大できます。

125℃動作のFCRAMのメリット

PDF メモリのSiPへの熱設計事例 [68KB]

低消費電力

  • バス幅を64ビットにすることにより動作周波数を低くできるため、終端抵抗がなくても高データバンド幅の特長を確保できます。終端抵抗が不要になるので、同等性能のDDR2 SDRAMと比べて大幅に消費電力を削減できます。
  • DDR2 SDRAMまたはLow Power DDR DRAMを2個動作させたときと同じ性能を、本製品1個で実現できるため、消費電力を大幅に削減できます。

PDF DDR2/DDR1/LPDDRとFCRAMの消費電力比較 [47KB]

高データバンド幅

  • 125℃動作時では、バス幅64ビットと最大200MHzの動作周波数により、汎用DDRメモリの2倍以上となる最大3.2Gバイト/秒のデータ転送レートを実現しています。
  • 105℃以下の動作温度では、216MHzで3.46Gバイト/秒のデータ転送能力があります。

PDF 競合メモリとの特長比較 [58KB]

主な仕様

型格 MB81EDS256545
メモリ構成 1Mワードx64ビットx4バンク
インタフェース Low Power DDR
電源電圧 1.7V~1.95V
動作温度(Tj) -10℃~+125℃
バースト動作周波数 Tj≦105℃ 216MHz(最大)
Tj≦125℃ 200MHz(最大)
データ転送レート Tj≦105℃ 3.46Gバイト/秒(最大)
Tj≦125℃ 3.2Gバイト/秒(最大)

テクニカルサポート

メモリ検証やアクセス検証のためのシミュレーションモデル,インタフェースをサポートするメモリコントローラ,評価用のFPGA拡張評価ボードなど、お客さまの製品開発をサポートするツールを用意しています。
サポート状況など詳細については、「FCRAMのお問い合わせ」フォームを利用してお問い合わせください。

FPGA評価ボードの使用例

拡大イメージ

データシート

メモリコントローラ

FPGA評価ボード(オプションボード)

シミュレーションモデル

  • IBISモデル
  • Verilogモデル
  • SOMAモデル(Denali社ご提供)
  • BFM(Bus Function Model)
  • ESL(Electric System Level)

256Mビット コンシューマFCRAMの製品ファミリー

256Mビット コンシューマFCRAMにはこれまで紹介してきた64ビット, Low Power DDRインタフェースのほかに、32ビット, Low Power SDRAMインタフェースも組み合わせた製品ファミリーを展開していますので、お客さまの用途によって最適な製品を提供することができます。

容量
(ビット)
インタ
フェース
I/O
構成
(ビット)
電源
電圧
(V)
動作
周波数
(MHz)
ジャンクション
温度Tj(℃)
製品型格
256M SDR x 32 1.7 ~ 1.95 166 -10 ~ +125 MB81ES253245
x 64 1.7 ~ 1.95 166 -10 ~ +125 MB81ES256445
DDR x 32 1.7 ~ 1.95 216 -10 ~ +125 MB81EDS253245
x 64 1.7 ~ 1.95 216 -10 ~ +125 MB81EDS256445
PDF MB81EDS256545*

*: 特殊機能追加品


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