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用語解説

カスタムDRAM

JEDECで標準化されているDDR2、DDR3などの「汎用DRAM」に対して、お客様のシステムにとって最適なコストパフォーマンスとなるように専用に開発されたDRAM。
当社では、FCRAM技術をベースにした「カスタムDRAM」を提供しています。カスタムDRAMをご検討のお客様は、下記のフォームよりお問い合わせ願います。

［FCRAMの概要］, ［お問い合わせフォーム］

ワイドバスメモリ（Wide I/O DRAM）

メモリの汎用品は、データバス（データ入出力）幅がx8ビットまたはx16ビットのものが多く使われています。汎用品に対してデータバス幅が広いものをワイドバスメモリと呼びます。
当社は、ワイドバスのメモリとして、2001年からデジタル家電向けにx64ビットのデータバスを持つコンシューマFCRAMを提供しています。ワイドバスメモリを使用したSiPをご検討のお客様は、下記のフォームよりお問い合わせ願います。

［コンシューマFCRAM（x64ビット）］,［お問い合わせフォーム］

データバンド幅

データバンド幅とは、1秒間に転送されるデータの総量で、単位は「バイト／秒」です。データバンド幅を向上させるには、データ転送レートを高くする（高周波数化）、もしくは、データバス幅を増やすことで達成できます。前者のデータ転送レートを高めた製品例としては、DDR3やGDDR5があります。後者のデータバス幅を増やした製品例として、当社のx64ビット幅のFCRAMやWide I/O DRAMがあります。

［データバンド幅の詳細説明］, ［コンシューマFCRAM（x64ビット）］

CoC（Chip on Chip）

半導体の実装技術のひとつです。チップとチップをマイクロバンプで接続することにより、ワイヤボンディングに比べて、多ピン化が可能になります。また、等長配線かつ配線長が非常に短くなることにより信号特性が向上するとともに、外部負荷容量が非常に小さくなるため、充放電電流が大幅に削減できます。当社では、CoCを使って、ロジックとDRAMを多ピン接続したSiPを検討しています。

［当社の実装技術・パッケージ］

電源設計

消費電流の増加、低電圧化、実装高密度化によって、半導体の電源にノイズが発生しやすい要因が増えています。電源品質（PI：パワーインテグリティ）を改善するために、バイパスコンデンサや配線によるインダクタンスを考慮した「電源設計」が重要になっています。

［電源設計のアプリケーション・ノート］

FCRAMの資料請求・お問い合わせ

「製品名（MB）」や「ドキュメントコード（DS05）」からの検索は、製品検索、ドキュメント検索をご利用ください。