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FCRAM™

FCRAM (Fast Cycle RAM)は、富士通が独自開発した低消費電力・高性能のメモリです。
FCRAMのコア技術をベースにして、アプリケーションに応じたFCRAM製品群を「モバイルFCRAM」「コンシューマFCRAM」というASM(Application Specific Memory: 用途別専用メモリ)として提供しています。これらの製品をウェーハ、ベアチップ、パッケージ形態で供給し、富士通のSoCやSiPとともにお客様のニーズにお応えするシステムメモリソリューションを提供します。
FCRAM製品は、ユビキタスネットワーク社会を支える携帯端末やデジタル家電などのデジタルメディア機器向けメモリとして最適です。



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製品紹介

  • 概要

製品ラインナップ

  • 製品ラインナップ(データシート)

ドキュメント

  • カタログ
  • 製品一覧表
  • FIND 記事リスト

サポート情報

  • シミュレーションモデル


(注) FCRAM は富士通マイクロエレクトロニクス(株)の商標です。


概要

ユビキタスネットワーク社会を支える電子機器の高性能化・高機能化が飛躍的に進んでいます。携帯電話を始めとする高性能携帯端末、デジタル家電などの市場は堅実な成長を持続しており、それにともないワークRAM市場の伸長も見込まれています。このような市場に即して、当社は独自開発の高性能・低消費電力メモリ「FCRAM」を開発しました。FCRAMは、RAMコア技術でFast Cycle RAMの略称です。そのFCRAMコアをベースとして、アプリケーションに応じたFCRAM製品群を、「コンシューマFCRAM」「モバイルFCRAM」というASMとして提供しています。コンシューマFCRAMは、SDRAMインタフェースを採用した、デジタル家電などの民生機器・組込み機器用途向けメモリです。モバイルFCRAMは、携帯端末向け専用擬似SRAMです。当社は、これらの製品をウェーハ、ベアチップ、パッケージ形態で提供し、当社SoC/SiPとともにお客様のニーズにお応えするシステムメモリソリューションを提供します。


FCRAMファミリー

  • モバイルFCRAM
  • コンシューマFCRAM

FCRAMの用途例


モバイルFCRAM

モバイルFCRAMは、携帯電話向けに開発された擬似SRAMです。低消費電力を維持しながら高速データ転送が 可能なので、携帯電話に限らずバッテリ駆動で動作する電子手帳やPMP(ポータブル・メディア・プレーヤ)、携帯型ゲーム機などのモバイル機器全般に採用されています。

モバイルFCRAMの特徴

  • 携帯機器向けの擬似SRAM
    • 低消費電力: 動作電流、データ保持電流の低減化
    • 高速データ転送: ページモード,バーストモード(DDR/SDR)
    • 多様なI/Oバス構成: x16/x32,アドレス・データ・マルチプレックス・バス
    • 幅広いラインナップ: 16Mビット品~256Mビット品を量産中
    • 動作電圧:1.8V/3.0V
  • フラッシュメモリとの親和性
    • 携帯端末向けMCP(Multi Chip Package)に最適
  • COSMORAM標準仕様に準拠
 モバイルFCRAMの用途
モバイルFCRAMの用途

拡大イメージ

 モバイルFCRAMの使用例(携帯電話)
モバイルFCRAMの使用例(携帯電話)

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コンシューマFCRAM

コンシューマFCRAMは、デジタルAV機器・組み込み用途向けのSDRAM互換のRAMです。16Mビット品~128Mビット品を量産中です。
SiP(System in Package)に適したチップ設計をしており、ロジックチップとコンシューマFCRAMを混載して1パッケージにしたSiPソリューションも提供しています。

コンシューマFCRAMの特徴

  • デジタルAV機器向けのSDRAM互換品
    • 製品ラインナップ
      • 16Mビット品~128Mビット品(SDR-SDRAMインタフェース)を量産中
      • 256Mビット品~1Gビット品(DDRインタフェース)の開発を計画中
    • 低消費電力
      • 動作電圧: 1.8V電源
      • 低消費電流: パワーダウン機能や各種リフレッシュ機能による電流の低減
  • SiPに適したRAM
    • チップ設計の最適化: チップ積層に適したパッド配置や特殊機能の搭載
    • FCRAMを搭載したSiPソリューションの提案:
      ロジックチップとFCRAMを1パッケージにしたシステムLSIの提案
 コンシューマFCRAMの用途
コンシューマFCRAMの用途

拡大イメージ

 コンシューマFCRAMの使用例
(デジタルカメラ)
コンシューマFCRAMの用途

拡大イメージ



(注) FCRAM は富士通マイクロエレクトロニクス(株)の商標です。


SiP向け低消費電力メモリ (x64, Low Power DDR SDRAM)
256MビットコンシューマFCRAM

MB81EDS256545のWafer Level Package

MB81EDS256545のWLP(Wafer Level Package)

はじめに

プレスリリース(2008年6月26日)

当社はデジタル家電向け低消費電力メモリとして、SiP(System in Package)に最適な256MビットのコンシューマFCRAMを提供中です。
本製品は、多くのデジタル家電に搭載されているDDR SDRAMと置き換えることにより、最適な価値とコストのソリューションを提供します。


コンシューマFCRAMのアプリケーション

コンシューマFCRAMのアプリケーション

適用事例

デジタル家電

  • デジタルテレビ(液晶TV,プラズマTV)
  • デジタルスチルカメラ
  • デジタルビデオカメラ
  • デジタルレコーダ
  • ポータブル・メディア・プレーヤ(PMP)
お客様の用途と製品への要求

製品の特長

本製品は、デジタル家電向け電子部品の要求に対応したメモリソリューションです。
64ビットのバス幅とLow Power DDR SDRAMインタフェースの採用によって、最大3.46GByte/sのデータ転送能力を確保しながら低消費電力を実現しています。
また、SiPに搭載することで、いろいろな設計メリットとコストメリットを提供できます。

低消費電力

  • DDR2 SDRAMなどの高速メモリに必要な終端抵抗(外付けまたはODT)が不要のため大幅な電力削減が可能。
  • 同等性能のDDR2 SDRAM 2個を動作させたときと比較して、最大で約1W(約70%)の消費電力を削減できます。
    • PDF メモリシステムの消費電力比較 [47KB]
      (本製品1個と、同等性能を構成するLow Power DDR, DDR1, DDR2の動作時の消費電力を比較しています。)

ワイドデータバンド幅

  • バス幅64ビット、最大動作周波数216MHzによって、汎用DDR2 SDRAM(x16, 400MHz動作)の2倍以上の3.46GByte/sのデータ転送レートを実現。
SiP化によるメリット

SiP化によるメリット

SiP向けメモリ

  • チップの積層に最適なパッド配置、CMOS I/Oによる低消費電力など、SiP化に適しています。
    • PDF SiP化によるメリット [48KB]
      (汎用DDR SDRAMのパッケージ品を外付けした場合と、本製品をSiP化した場合を比較 してメリットを示しています。)

主な仕様

型格 MB81EDS256545
メモリ構成 1MワードX64ビットX4バンク
インタフェース Low Power DDR
電源電圧 1.7V~1.95V
バースト動作周波数 216MHz(最大)
データ転送レート 3.46Gバイト/秒(最大)
クロックアクセスタイム 4.6ns(最大)
動作電流(バーストリード時) 300mA(最大)
ディープパワーダウン電流 20μA(最大)

テクニカルサポート

メモリ検証やアクセス検証のためのシミュレーションモデル,インタフェースをサポートするメモリコントローラ,評価用のFPGA拡張評価ボードなど、お客さまの製品開発をサポートするツールを用意しています。
サポート状況など詳細については、「FCRAMのお問い合わせ」フォームを利用してお問い合わせください。

FPGA評価ボードの使用例

拡大イメージ

データシート

  • 主な仕様( PDF イントロダクションシート)

メモリコントローラ

FPGA評価ボード(オプションボード)

シミュレーションモデル

  • IBISモデル
  • Verilogモデル
  • SOMAモデル(Denali社ご提供)
  • BFM(Bus Function Model)
  • ESL(Electric System Level)

256Mビット コンシューマFCRAMの製品ファミリー

256Mビット コンシューマFCRAMにはこれまで紹介してきた64ビット, Low Power DDRインタフェースのほかに、32ビット, Low Power SDRAMインタフェースも組み合わせた製品ファミリーを展開していますので、お客さまの用途によって最適な製品を提供することができます。

容量
(ビット)
インタ
フェース
I/O
構成
(ビット)
電源
電圧
(V)
動作
周波数
(MHz)
ジャンクション
温度Tj(℃)
製品型格
256M SDR x 32 1.7 ~ 1.95 166 -10 ~ +105 MB81ES253245
x 64 1.7 ~ 1.95 166 -10 ~ +105 MB81ES256445
DDR x 32 1.7 ~ 1.95 216 -10 ~ +105 MB81EDS253245
x 64 1.7 ~ 1.95 216 -10 ~ +105 MB81EDS256445
MB81EDS256545*

*: 特殊機能追加品


FCRAMのお問い合せ
サンプルの納期を知りたい。
詳細なデータシートを入手したい。
シミュレーションモデルが欲しい。
メモリに詳しくないので、テクニカルサポートを受けたい。
詳しい話し聞きたいので訪問してもらいたいが、どこに問い合わせればいいのか分からない。
その他のFCRAMの一般的な質問など
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