今後の研究（実用化のための課題とその他の応用)

実用化のための課題

・多層カーボンナノチューブの成長温度を下げる
現在の技術では、カーボンナノチューブの成長温度は500度以上です。この温度では、耐熱温度が低い絶縁膜などが熱で変形してしまいます。そこで、絶縁膜の耐熱温度400度以下の環境でも多層カーボンナノチューブが成長できるようにする必要があります。

・多層カーボンナノチューブを量産できるようにする
直径300mmの大きいウェハにカーボンナノチューブを均一に成長できるようにし、また成長時間を短縮することで、量産につなげたいと思っています。

・多層カーボンナノチューブの成長方向のコントロール
通常、カーボンナノチューブは、縦方向へ成長します。横方向へ成長させることで、横配線等へ取り入れることが可能になります。

・ビアの多層カーボンナノチューブの密度が足りない
金属触媒の密度を高くしたり、蒸着させたすべての触媒から多層カーボンナノチューブが綺麗に育てば、沢山の本数が揃い、多層カーボンナノチューブの密度を高くすることができるようになります。

・トランジスタへの応用
単層カーボンナノチューブは、トランジスタの中のソース電極からドレイン電極へ電子を送る役割をします。
単層カーボンナノチューブにすると抵抗が少なくなり、電子を速く送れ、現在のトランジスタよりも処理が速くなる可能性があります。