プレスリリース
2010年6月2日
富士通セミコンダクター株式会社
世界で初めて、次世代通信方式LTEに対応
マルチモード、マルチバンド対応SAWフィルター不要RFトランシーバLSIを製品化
富士通セミコンダクター株式会社(注1)は、携帯電話向け次世代通信方式LTE(Long Term Evolution；注2)に対応したRFトランシーバLSI「MB86L10A」を開発し、8月よりサンプル出荷を開始します。
現在出荷中の「MB86L01A」のマルチバンドRFトランシーバLSIに、MIPI(注3)規格に準拠したDigRF Ver4(4G-DigRF；注4)を搭載し、次世代通信規格であるLTE通信方式に対応しています。「MB86L10A」は、高集積化したシングルチップ上に2系統の受信回路を搭載し、安定した受信状態を可能にしました。「MB86L10A」を使用することにより、LTE通信方式に対応した最先端の携帯電話システムを、短期間かつコンパクトな構成で構築することが可能です。
携帯電話において現在主流となっている通信方式の 2G や 3G では、大量の画像や大容量ファイルのダウンロードやアップロードには時間がかかっています。より高速かつ安定したインターネットサービスを実現できる通信方式を提供するために、次世代通信方式LTEが3GPP（注5）にて規格化されました。
LTE方式は、2010年末より各国にてサービスが開始され、家庭内で使用するブロードバンドインターネットと同様、屋外でもスムーズにインターネットを利用できる環境となります。LTE方式に対応した携帯電話の通信サービスは、今後の携帯電話市場においてパソコンと同じような使われ方と、さまざまなサービスへの可能性に期待が高まり、注目を浴びています。一方、従来の通信方式である 2G や 3G にも対応する必要があります。LTE通信方式の対応により機能・部品が増える反面、携帯電話のさらなる小型化、軽量化、低消費動作が求められています。
当社は、LTE通信方式にいち早く対応したRFトランシーバLSI「MB86L10A」を開発し、従来のGSM/GPRS、EDGE（注6）の2G通信方式、W-CDMA、HSPA（注7）の3G通信方式への対応機能をシングルチップに高集積した上で、消費電力を低減した携帯電話の最先端RFトランシーバLSIを開発しました。
「MB86L10A」は、ベースバンドLSIとのインターフェースに、従来のMIPI規格であるDigRF Ver3と、LTE用のDigRF Ver4を両方備え、従来のDigRF Ver3を持つベースバンドLSIとの互換性と、2G・3G・LTEのベースバンドLSIからDigRF Ver4のインターフェースのみで制御することも可能です。さらに、2系統の受信系を持つことで通信の安定性と高受信感度を実現しました。
LTEの通信方式は、各国に割り当てられている、さまざまに異なる周波数や通信方式のモードを、ファームウェアのみでサポートすることにより、携帯電話システムの開発期間と工数を大幅に低減することが可能です。
当社は、今後も最先端の通信規格と方式に対応し、消費電力の低減、携帯電話システム開発を短縮するための技術・機能を、最先端RFソリューションとして提供していきます。
サンプル出荷時期
| 製品名 | サンプル出荷時期 |
|---|---|
| MB86L10A | 2010年8月初旬 |
販売目標
初年度 月産100万個（当社の決算期は3月末日です。）
本製品の特長
- 従来の通信方式（2G・3G）と最先端LTE通信方式に対応
各国の携帯電話で使用される周波数の再編、異なるLTE向けの周波数対応をファームウェアにてサポートできます。対応するバンドは、GSMと各国のUMTSのバンド、LTEのバンドとLTE-TDD（注8）もサポートします。 - 最先端・高速のベースバンド・インターフェースであるMIPI規格準拠のDigRF Ver4を搭載
「MB86L10A」は、ベースバンドとのインターフェースに3G-DigRFおよび4G-DigRFインターフェースを備えており、従来の2G・3Gでは3G-DigRFインターフェースを持つベースバンドLSIとの互換性を持つとともに、LTEでは4G-DigRFインターフェースで対応します。2G・3G・LTEのベースバンドLSIから4G-DigRFインターフェースのみで制御することも可能です。さらに、このDigRFインターフェースを介してベースバンドLSIから本製品に内蔵されているSPI(注9)、GPO(注10)入出力にて外部パワーアンプや、またパワーアンプ用の電源IC、およびアンテナスイッチのタイミングなどを制御することも可能です。 - さらに進化した送信系と受信系の性能と部品点数削減・省スペース化を実現
「MB86L10A」の送信部には、SAWフィルター不要、かつ直接パワーアンプを駆動できる8つの出力ポートを備えていることで、周辺部品を含めたRFシステム部構成の簡素化が実現でき、また、今後の主流となるマルチモード・パワーアンプもサポートすることができるので、今後の先端システムの構築にさらなる部品点数削減、省スペース化が可能です。
受信部には、LTE、W-CDMA、およびGSM/EDGEをサポートする9つの入力ポートを備えており、低雑音増幅器LNA内蔵、GSM受信系を除きSAWフィルターが不要です。加えて、UMTS、またはLTEのマルチ受信を可能とする5つの追加入力ポートや、最新技術による高い受信性能を備えているので、コンパクトな新しいRFトランシーバシステムを実現できます。 - RFトランシーバを搭載した試作にて、すでに実地検証済み
「MB86L10A」は、DigRFインターフェースを介して2G・3G・LTEの各々のモード・バンドでフィールドトライヤル（実地試験）を実施し、高い性能が実現できていることを確認しています。
LTEモードが従来の携帯電話に追加されることで、2G・3G・LTEのトリプルモード間のスムーズな切り替え（ハンドオーバー；注11）試験を、今回、高度かつ新しい方式を用いて検証を行うことでLTE対応携帯電話端末に求められる高速で安定したハンドオーバーの実現と装置開発のための検証・開発の時間の大幅な短縮が可能です。
商標について
- 記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。
添付資料
PDF 製品仕様（101KB)
注釈
（注1）富士通セミコンダクター株式会社：
代表取締役社長 岡田晴基、本社 神奈川県横浜市。
（注2）LTE：
Long Term Evolutionの略で、携帯電話の高速なデータ通信仕様の一つ。
第3世代携帯電話方式(3G)の高速データ通信規格「HSDPA」をさらに進化させたもので、下り100Mbps以上、上り50Mbps（理論値）以上の高速通信の実現が可能となります。
（注3）MIPI：
Mobile Industry Processor Interfaceの略で、主に携帯端末向けのハードウェア・ソフトウェアの仕様策定などを行う非営利団体です。
（注4）DigRF Ver4：
MIPI Allianceにて規格されているベースバンド-RF間のインターフェース規格。
LTEの高速データを扱うために、DigRF Ver3よりも、より高速処理に対応したインターフェースです。
（注5）3GPP：
3rd Generation Partnership Projectの略で、第3世代(3G)移動体通信システムの標準化プロジェクトを目的とした規格団体です。
（注6）GSM/GPRS、EDGE：
GSM(Global System for Mobile Communications)、GPRS(General Packet Radio Service)、EDGE(Enhanced Data Rates for GSM Evolution)の略で、いずれも第2世代携帯電話(2G)規格です。
（注7）HSPA：
第3世代(3G)携帯電話方式「W-CDMA」のデータ通信を高速化した規格。HSPAは下り方向を高速化するHSDPA(High Speed Downlink Packet Access)と、上り方向を高速化するHSUPA(High Speed Uplink Packet Access)の総称です。
（注8）LTE-TDD：
TDD（Time Division Duplex）方式でのLTEを実現する規格。中国などが導入予定です。
（注9）SPI：
Serial Peripheral Interfaceの略で、機器内部で使われるデバイス同士を接続する際、接続端子数が少なくて済むインターフェースのひとつです。
（注10）GPO：
General Purpose Outputの略で、汎用出力インターフェースのことです。
（注11）ハンドオーバー：
移動することで、携帯電話の端末が通信する基地局を切り替えます。
関連リンク
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