マルチモード・マルチバンド対応RFトランシーバLSI製品 新発売

現在の携帯電話市場では、国内で購入した携帯電話を海外でも利用できる国際ローミングに対する要望が多く、それぞれの国や地域の多様な通信方式、異なる周波数（マルチモード・マルチバンド）に対応する必要性が急速に高まっています。一方で、携帯電話は、薄型・小型化が進むと同時に、製品化サイクルも短縮化される傾向にあり、携帯電話を開発するメーカー側の負担がますます増加しています。当社は、これら携帯電話開発メーカーの要求に応えるための製品「MB86L01A」を開発し、新たにRFトランシーバLSI市場に参入します。

   本製品「MB86L01A」は、世界の多くの地域で使われている携帯電話の第2世代向け通信方式であるGSM、GPRS、EDGEとその全ての周波数帯に対応し、さらに第3世代向け通信方式であるUMTS、HSPAとその周波数帯10帯域のうち、最大4つの周波数帯を同時に使用することができます。
   本製品は、低雑音化回路をLGA-142ピン(7.1 mm x 5.9 mm)の小型パッケージに内蔵したことで、従来のSAWフィルター（注3）やLNA（注4）の外付けが不要となり、RFブロック部の省スペース化が実現でき、携帯電話の薄型・小型化が可能となります。

   従来のRFトランシーバLSI製品は、アナログ技術による回路構成が中心でしたが、本製品は、多くのデジタル回路技術を導入し、アンテナスイッチやパワーアンプなどの外部部品を制御するデジタル信号対応の出力インターフェイスを備えたことでシステムの簡素化ができます。さらに、本製品に内蔵されているCPUに信号制御内容をプログラムすることで、システム内におけるRF制御方法やフィルタリングなどの調整を簡単に行うことができ、開発や試験、検証などに要するコストが軽減できます。
   本製品は、3G DigRF規格のインターフェイスを搭載しており、同規格に対応したベースバンドLSIと互換性のあるRFトランシーバLSIとなります。
  なお、当社はRFトランシーバLSIの市場参入にあたり、米フリースケール・セミコンダクタ社（注5）よりライセンスを受け、新たに米国アリゾナ州テンピに開発拠点を設けて130名超のスタッフで開発をいたしました。現在は、次世代の通信方式であるハイビットレート対応RFトランシーバLSIの開発も開始しております。
  今後、パワー・マネジメントICなどの他の半導体製品とともに、最先端RFソリューションを提供してまいります。

注釈

（注1） 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社：
   代表取締役社長 岡田晴基、本社 東京都新宿区。

（注2） 3G DigRF：
   MIPI Allianceにて規格されているベースバンド-RF間のインターフェイス規格。

（注3） SAWフィルター：
   表面弾性波（Surface Acoustic Wave）という圧電体の表面を伝わる波の特性を用いて雑音を除去する部品。

（注4） LNA：
   Low Noise Amplifierの略で、低雑音増幅回路。受信機初段に適用される雑音指数の小さい増幅器。

（注5） 米フリースケール・セミコンダクタ社：
   CEO リッチ・ベイヤー(Rich Beyer)、本社 USA テキサス州オースチン。

（注6） HSDPA：
   High Speed Downlink Packet Accessの略で、第3世代(3G)携帯電話方式「W-CDMA」のデータ通信の下りを高速化した規格。

（注7） HSUPA：
   High Speed Uplink Packet Accessの略で、第3世代(3G)携帯電話方式「W-CDMA」のデータ通信の上りを高速化した規格。

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