世界初！125℃動作のSiP向け低消費電力メモリを新発売

近年の高性能デジタル家電では、動作の高速化および低コスト化が求められています。これを実現するため、メモリとSoCをSiP化した製品が増加しています。SiPにより高速メモリインターフェースの開発やノイズ対策などの設計が容易になり、また搭載部品数の削減や省スペース化によってコストを削減することができます PDF （SiP化によるメリット）。
   しかし従来の汎用メモリでは最大動作温度が95℃程度のため、高性能化するSoCの消費電力増加による発熱でメモリが耐えられず（図 1 (a)）、SiP化する際に熱対策を行う必要がありました。具体的にはヒートシンク（注5）などの放熱部品を追加するため（図 1 (b)）、コストや部品サイズの増加を招いており、SiPの採用を検討している多くのお客様から、メモリの動作温度範囲を拡張して欲しいとの要望が増加しています。

このような要求に応えて、当社は最大125℃動作が可能な512メガビットおよび256メガビットのコンシューマFCRAMを開発しました。動作温度範囲を拡張したことで、放熱部品の追加をせずに消費電力の大きなSoCとのSiPを構築できます（図 1 (c)）。これにより従来の95℃動作の汎用メモリと比較して、SiPにおける熱設計や対策部品によるコスト増加の課題を解消することができます。さらに本製品では、125℃動作時でも、低消費電力を確保しながら汎用DDRメモリ（注6）の2倍以上の高速データ転送性能を実現しています。本512メガビット品と同容量のDDR2 SDRAMを同等性能で比較した場合、消費電力を約50％削減することができるため、デジタル家電に搭載されるメモリからのCO2排出量も半減できます PDF （汎用メモリとFCRAMのCO2排出量比較）。

当社は今後もSiP向けに必要な性能・機能をもった製品を開発することにより、デジタル家電製品に最適な価値とコストソリューションを提供していきます。

注釈

（注1）富士通マイクロエレクトロニクス株式会社：
   代表取締役社長 岡田晴基、本社 東京都新宿区。

（注2）コンシューマFCRAM：
   FCRAM（Fast Cycle Random Access Memory）は当社独自開発の高速・低消費電力のRAMコア技術。コンシューマFCRAMは、FCRAMコアと業界標準であるLow Power SDRAMインターフェースをもったデジタル家電専用メモリ。

（注3）システムインパッケージ（SiP）：
   1つのパッケージの中に、ロジックLSIやメモリなど異なる種類の半導体デバイスを搭載してシステムを構築する技術および製品。

（注4）システムオンチップ（SoC）：
   CPU、DSP、メモリなどの複数の機能を1チップに集積した半導体集積回路。

（注5）ヒートシンク：
   電子部品の放熱を促すために、LSIのパッケージなどに取り付けられる熱伝導率が高い金属製の部品。同じ目的の部品として、ヒートスプレッダがある。

（注6）汎用DDRメモリ：
   現在のDRAM市場で主流となっているDDR2 SDRAMやLow Power DDR SDRAMを示す。

（注7）終端抵抗：
  回路の配線や信号の終端に取り付ける抵抗で、信号が反射によって乱れるのを防ぐために使用するが、電力の消費が大きい。DDR2 SDRAMでは終端抵抗をチップ上に内蔵（ODT: On Die Termination）。

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富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
ASSP事業本部 Infotainment事業部 第四設計部
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