デジタル家電向け低消費電力メモリ 256メガビットFCRAM新発売

富士通マイクロエレクトロニクス株式会社（注1）は、デジタル家電向け低消費電力メモリとして、システムインパッケージ（以下、SiP）（注2）に最適な容量256メガビットのコンシューマFCRAM（注3）「MB81EDS256545」を開発し、本日よりサンプル出荷を開始します。
新製品はバス幅64ビットおよびLow Power DDR SDRAMインタフェースにより、バス幅16ビットのDDR2 SDRAM（注4）2個分と同等のデータ転送能力を実現しながら、最大で約1ワット（約70%相当）の消費電力を削減（注5）し、デジタル家電の省エネ化に貢献します。
新製品は、低消費電力化が要求されるデジタルテレビやデジタルビデオカメラなどに最適です。

近年のデジタル家電では、搭載している電子部品の高性能化や機能の集約化が進む一方で、機器自体の省エネ化やチップの小型化による発熱量増加への対処が課題であり、搭載部品の低消費電力化が必要とされています。
新製品は、現在のデジタル家電に使われているバス幅16ビットのDDR2 SDRAM 2個分と同等のデータ転送能力を実現しながら、最大で約1ワット（約70％相当）の消費電力を削減できるため、デジタル家電の省エネ化に貢献するほか、放熱設計に関わる開発や部品コストの削減にも寄与します。
当社は、デジタルテレビ、デジタルビデオカメラなど、低消費電力化を必要とするデジタル家電向けに新製品による汎用RAMの置き換えを提案し、最適な製品価値とコストのソリューションを提供いたします。

図1：本製品の消費電力(DDR2 SDRAMとの比較例)

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図2：本製品のSiP化のメリット

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サンプル価格、およびサンプル出荷時期

製品名	サンプル価格（税込）	サンプル出荷時期
MB81EDS256545	1,000円	2008年6月26日より

販売目標

月間100万個

本製品の特長

DDR2 SDRAMと同じデータ転送で消費電力を最大約1ワット削減可能
DDR2 SDRAMなどの高速メモリでは信号を安定させるために終端抵抗（注6）が必要となり、多くの電力を消費しています。本製品は、バス幅を64ビットに広げて動作周波数を低くすることで終端抵抗が不要となるため、同等性能となるバス幅16ビットのDDR2 SDRAM 2個分と比較した場合、消費電力を最大で約1ワット(約70%相当)削減します。（図1参照）
DDR2 SDRAM の2倍の性能で大容量映像データなどの高速処理が可能
本製品は、バス幅64ビット、最大216メガヘルツ動作により、汎用DDR2 SDRAMの2倍となる最大毎秒3.46ギガバイトのデータ転送レートを実現しています。デジタルテレビなど大容量の映像データを高速処理する用途に適しています。
SiP向けメモリのため実装面積の省スペース化に貢献
本製品は、ロジックLSIとの1パッケージ化が可能なSiP向けメモリであり、実装面積の省スペース化に貢献するほか、基板材料や部品のコスト削減が可能です。SiP向けにウェーハ形態で提供するほか、ウェーハレベルパッケージ（WLP）（注7）の提供も可能です。（図2参照）

商標について

記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。

添付資料

PDF 製品仕様（96KB)

注釈

（注1）富士通マイクロエレクトロニクス株式会社：
代表取締役社長岡田晴基、本社東京都新宿区。

（注2）システムインパッケージ(SiP)：
1つのパッケージの中に、ロジックLSIやメモリなど異なる種類の半導体デバイスを搭載してシステムを構築する技術および製品。

(注3)コンシューマFCRAM：
FCRAM（Fast Cycle Random Access Memory）は当社独自開発の高速・低消費電力のRAMコア技術。コンシューマFCRAMは、FCRAMコアと業界標準であるLow Power DDR SDRAMインタフェースをもったデジタル家電専用メモリ。

（注4）DDR2 SDRAM：
DRAM規格の一種で、Double Data Rate2 Synchronous Dynamic Random Access Memoryの略称。DDR SDRAM（外部クロックに同期して動作するSDRAMの2倍の転送速度をもつ）よりも高速で消費電力が少ない。現在のDRAM市場で主流となっているメモリ。

（注5）最大で約1ワット（約70%相当）の消費電力を削減：
本製品1つと他社256メガビットDDR2 SDRAM 2つを、毎秒3.2ギガバイトで連続動作させたときの計算値で比較。DDR2 SDRAM側の全消費電力のうち終端抵抗の消費電力は大きな割合を占めているので、終端抵抗が不要の本製品は大幅に消費電力の削減が可能。

（注6）終端抵抗：
回路の配線や信号の終端に取り付ける抵抗で、信号が反射によって乱れるのを防ぐ。DDR2 SDRAMでは終端抵抗をチップ上に内蔵(ODT: On Die Termination)している。

（注7）ウェーハレベルパッケージ（WLP）：
チップサイズの小型パッケージ。ウェーハの状態で半田バンプの形成や捺印などのパッケージ処理を実施したあとに、ダイシングして形成。