沿革

富士通半導体の歴史


川崎工場内にトランジスタ工場を新設電電公社の中継機向けにシリコントランジスタの第一号を製品化

国内最大の大型汎用電子計算機FACOM222完成

シリコン半導体技術を基に、TTLなど電算機向けIC開発に着目

川崎工場に、当時の最新設備を完備した日本で初めての半導体製造クリーンルームが完成

世界初のフルIC電算機FACOM230-60完成

Ni-Cr薄膜ハイブリットICを開発福島県会津工場でのIC生産を開始、量産体制が確立

コンピュータ用メモリ64Kb/256Kb DRAMの微細加工技術確立

CMOSゲートアレイの外販をスタート米国に設計・販売会社 Fujitsu Microelectronics Inc. （現 Fujitsu Semiconductor America, Inc）設立

富士通が動作原理を考案し開発した、半導体デバイスHEMTの製品化に成功欧州に設計・販売会社 Fujitsu Microelectronics GmbH （現 Fujitsu Semiconductor Europe GmbH）設立

パソコンFM-8に、世界初の64Kb DRAMを搭載

世界初のCMOS 256Kb EPROM発表

シンガポールに設計・販売会社 Fujitsu Microelectronics Asia pte Limited （現 Fujitsu Semiconductor Asia Pte. Ltd.）設立

世界初のガリひ素ICの量産工場を設立世界で初めて、スーパーコンピュータの演算機能をワンチップ化したCMOSのベクトル処理LSIを開発

フッ化アルゴンを用いた露光技術の開発を行い、4Gb DRAM相当で0.13umルールのパターン形成に、世界で初めて成功

システムLSIの中核としてVLIWプロセッサ“FR-Vファミリー”を開発韓国に販売会社Fujitsu Microelectronics Korea Limited （現 Fujitsu Semiconductor Korea Limited）設立

あきる野テクノロジセンター開設最先端デバイスの開発、設計、試作の一貫体制を確立

半導体後工程の専業会社「富士通インテグレーテッドマイクロテクノロジ株式会社」(FIM) の設立中国に販売会社Fujitsu Microelectronics (Shanghai) Co.Limited （現 Fujitsu Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.）設立

三重工場に300mmウェーハ対応の新棟完成（2005年4月より90nmで稼動）米国ラティス様からFPGA製品の製造を受託

「マルチギガビットCMOS高速I/O技術の開発と実用化」が第51回大河内記念賞を受賞基地局と端末機器双方で使用できる世界初のWiMAX対応ベースバンドLSIを開発

三重工場に300mmウェーハ対応の第2棟建設（2007年4月より65nmで稼動）株式会社アドバンテスト様と株式会社イー・シャトル設立、電子ビームによる直接描画を商品化アジア地域の強化のためマイコン設計会社West Star Chips社（現 Fujitsu Semiconductor Design (Chengdu) Co. Ltd）を買収

富士通電子デバイス事業本部の営業部門と富士通デバイス株式会社を統合し、社名を「富士通エレクトロニクス株式会社」に変更

3月21日、LSI事業を会社分割により分社し、「富士通マイクロエレクトロニクス株式会社」（現富士通セミコンダクター株式会社）を設立