目的別分析ご案内-半導体関連コース
半導体関連の材料分析で、どんな場合にどのような分析技術がご利用可能かをご紹介します。
| 原料の採用可否判断 | |||
|---|---|---|---|
| 原料 | 何を | 何のために | 分析方法 |
| シリコン基板 GaAs基板 |
不純物元素の種類と量 | 仕様作成,ロット管理 | ICP-AES |
| 表面形状 | AFM | ||
| 自然酸化膜の厚さと状態 | XPS | ||
| 表面汚染成分 | 保管状況管理 | ||
| レジスト | 分子構造解析 | 仕様作成,ロット管理 | FT-IR |
| 不純物元素の種類と量 | ICP-AES | ||
| 原料ガス | GC-MS,ICP-AES | ||
| スパッタターゲット, 蒸着用金属 |
ICP-AES | ||
| 場所による偏析の有無 | EPMA | ||
| 接着剤 | 主成分樹脂の種類 | FT-IR,熱分解GC-MS | |
| 分子構造 | FT-IR | ||
| 硬化物の加熱発生ガス | 周囲への影響 | GC-MS | |
| 硬化物の含有イオン | 腐食性評価 | IC | |
| 硬化物の耐熱性 | 使用種類選定 | TG-DTA | |
| プロセスの可否,条件だし | ||||
|---|---|---|---|---|
| プロセス | どこの | 何を | 何のために | 分析方法 |
| リソグラフィ エッチング |
パターン | 形状,残膜の状態 | 装置による差の検証 | FE-SEM, TEM |
| 露光・現像条件の最適化 | ||||
| レジスト量の最適化 | ||||
| エッチング時間の最適化 | ||||
| 残膜の同定 | 残膜発生原因の究明 | FT-IR,XPS | ||
| 付着物 | 付着物発生原因の究明 | EPMA,AES | ||
| 基板全体 | 表面形状 | 条件の最適化 | AFM,FE-SEM | |
| 基板局部 | 表面粗さ値 | 位置による差の検証 | AFM | |
| 洗浄 | 基板全体 | しみ,変色 | 薬液の種類・量・流量の最適化 | XPS |
| 異物 | EPMA | |||
| 微小異物 | 異物混入原因の解明 | AES | ||
| イオン注入 | n-MOS | 不純物元素の分布 | 特性異常の原因調査 | SIMS |
| 注入イオン(P,As) 深さ方向分布 |
注入深さ,分布の最適化 | |||
| p-MOS | 注入イオン(B) 深さ方向分布 |
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| イオン注入部 | 注入イオン分布の変化 | 注入・アニール条件の 最適化 |
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| ダメージの深さ,程度の確認 | TEM | |||
| シリサイド化 | シリサイド部 | 表面の化学的結合状態 | 抵抗値不良原因の究明 | XPS |
| 深さ方向組成分布 | AES | |||
| 膜質 | ガス流量の最適化 | XPS | ||
| 形状 | プロセス条件の最適化 | TEM | ||
| 熱処理 | 銅配線部 | 酸化状態 | XPS | |
| 結晶粒 | TEM | |||
| 有機汚染 | 装置の最適化と 不良原因 |
AES | ||
| 薄膜形成 | ゲート部,ゲート膜 | 断面形状,膜厚 | 条件の最適化 | TEM |
| 絶縁膜と基板の 接合状態 |
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| 膜厚 | AES | |||
| 電極膜 | 膜厚,結晶粒界 | FIB-SIM, TEM |
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| 不純物元素の種類と量 | ロット管理 | ICP-AES | ||
| 絶縁膜,電極膜表面 | 処理による 表面状態変化 |
処理条件だし, 改善要因の解明 |
XPS | |
| 配線パターン 表面 |
付着物組成 | 付着物発生原因の究明 | AES | |
| 銅配線 | 粒経 | 処理条件だし | TEM | |
| 電極,誘電体 断面 |
異物,異常部 | 異物,異常部発生原因の究明 | FIB,AES | |