AES,SAM
（オージェ電子分光法：Auger Electron Spectroscopy）
走査型オージェ電子分光装置(Scanning Auger Microprobe)では、固体試料に細く絞った電子線を照射し、表面から数nm（ナノメートル）内の深さから発生するオージェ電子を分光検出することにより、二次電子像観察しながら表面の局所領域に存在する主成分元素の種類とおおよその量を分析できます。
イオンビームスパッタエッチングの併用による深さ方向元素分布や、平面や断面の元素マップ等も取得でき、金属，半導体などの腐食，変色，接合性，薄膜，拡散，異物などの問題解決に威力を発揮します。
所有装置
PHI Model 680
(Scanning Auger Nanoprobe System)
分析事例
金属表面異常部の元素分析
低倍率の二次電子像
高倍率の二次電子像
金属表面の異常部と正常部の定性分析結果
異常部から塩素と窒素を検出したことにより、他工程から混入し付着したものと判明した。
配線表面汚染部の元素分布
配線パターンの二次電子像と炭素の分布
配線パターンの表面がカーボン（炭素）を主成分とする有機物により汚染されていることが分かった。
半田バンプ表面の深さ方向分析
真丸いはんだバンプの二次電子像
窪んだはんだバンプの二次電子像
はんだバンプ表面の深さ方向分析結果
窪んだバンプは、表面の酸化膜厚が丸いバンプよりも厚いことが判明した。
半田バンプ断面の線分析・面分析
断面の線分析結果
断面の面分析結果
Ni（ニッケル）の半田への拡散や、P（りん）のSn（錫）／Ni（ニッケル）界面での偏析を確認。
マイクロカプセル型異方導電性接着剤による接合界面の分析
