FIB
（集束イオンビーム加工観察装置：Focused Ion Beam system）
FIBは、加速されたGa（ガリウム）のイオンビームを静電レンズ系により集束し、試料表面を走査して、発生した二次電子を検出して画像（SIM：Scanning Ion Microscopy像)として観測しながら、目的の場所を高い位置精度で、正確に断面加工できる装置です。高分解能TEM，FE-SEMなどの観測手段と組み合わせて、必要な情報を迅速に求めることができます。
所有装置
SMI9200
（セイコーインスツルメンツ社製）
分析事例
電極パッドの断面
(左）FIB加工箇所の全体像 （右）パッド断面の拡大観察像（60°傾斜）
不揮発性メモリの断面
FIB加工により、メモリセルの観測したい場所の断面をねらいどおりに作製できます。
多層薄膜とはんだの接合部断面
SIM（走査イオン顕微鏡）像は、ニッケルと銅のように、SEM（二次電子顕微鏡）像観察では区別が難しい、原子番号が近い金属で構成された多層膜の構造が鮮明に観測できます。
実装材料の解析
得意技コーナーのページでも、FIBによる実装材料の解析例をご紹介しています。