

| GigaModule-1,2 | GigaModule-2E | GigaModule-4 | |
|---|---|---|---|
| 構造 | Build-up + コア | コアレス | |
| スタックVia | |||
| 材質特性 (Build-up) |
熱膨張、≦ 70ppm | 熱膨張、≦ 50ppm 誘電正接、≦ 0.015 |
|
| 用途例 (特長) |
High Pin Count BGA | ラージダイ Low-k 対応 |
ラージダイ Low-k 対応 Lowインダクタンス |
| 単位:ミクロン |
| GigaModule-1,2 | GigaModule-4 | ||
|---|---|---|---|
| 板厚 | 600~1300 | 220~520 | |
| 層数 | 4~14層 | 4~10層 | |
| コア層 | 基材厚 | 400~800 | - |
| min ドリル径 |
φ150 (φ100) | - | |
| min Line/Space |
40 / 40 | - | |
| VIAオンパッド | 可 | - | |
| Build-up層 | 絶縁層厚 | 30 or 35 | |
| min Laser Via 径 |
φ60 ( φ40 ) | ||
| min Line/Space |
20 / 20 ( 15 / 15 ) | ||
| スタックVIA | 可 | ||
| ( )内は開発品 |
| GigaModule-2 |
|---|
![]() |
| 狭ピッチ孔加工 |
| GigaModule-4 |
|---|
![]() |
| 狭ピッチフルスタック構造 |