富士通エレクトロニクス

Winbond社ロゴ

http://www.winbond.co.jp/


Winbond Electronics Corporation

Winbond社の概要

称号 Winbond Electronics Corporation
設立 1987年
資本金 約1,428億円
本社 台湾(台中)
No. 8, Keya Rd.Ⅰ, Daya Township,
Central Taiwan Science Park, Taichung County, 428, Taiwan, R.O.C.
販売拠点 台湾(台北)、米国(サンノゼ)、香港、日本
設計拠点 台湾(台中)、米国(サンノゼ)、日本
製造拠点 台湾(台中)
売上高 655億円 (2008年)
日本法人 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
横浜市港北区新横浜3丁目7-18 第二上野ビル
事業内容 ウィンボンド半導体製品の販売促進および技術サービス

主な製品

1.DRAM

SDRAM
容量 構成 スピード・グレード パッケージ 電源電圧
16Mbit 16 143MHz(CL3),166MHz(CL3),200MHz(CL3) TSOP, BGA 3.3V
64Mbit 16,32 143MHz(CL3), 166MHz(CL3), 200MHz(CL3) TSOP, BGA 3.3V
128Mbit 16,32 133MHz(CL3),166MHz(CL3), 200MHz(CL3) TSOP, BGA 3.3V
256Mbit 16,32 133MHz(CL3), 166MHz(CL3), 200MHz(CL3) TSOP, BGA 3.3V
DDR1 SDRAM
容量 構成 スピード・グレード パッケージ 電源電圧
64Mbit 16 DDR333,DDR400,DDR500 TSOP, BGA 2.5V
128Mbit 16,32 DDR226,DDR333,DDR400,DDR500 TSOP, BGA 2.5V
256Mbit 8,16 DDR226,DDR333,DDR400,DDR500 TSOP 2.5V
DDR2 SDRAM
容量 構成 スピード・グレード パッケージ 電源電圧
256Mbit 16 DDR2-667,DDR2-800 BGA 1.8V
512Mbit 16 DDR2-667,DDR2-800 BGA 1.8V
1Gbit 16 DDR2-667,DDR2-800,DDR2-1066 BGA 1.8V