富士通エレクトロニクス

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http://www.latticesemi.co.jp/


Lattice Semiconductor Corporation

不揮発型 FPGA製品

Lattice XP2 FPGA

概要

  • 富士通のCS100F 90nmテクノロジーで製造されている

特徴

  • 5k~40kLUT,86~540I/O
  • 電源投入後2ms以下で即動作可能
  • デバイス当りEBR SRAM最大885kbitまで
  • sysI/Oバッファ最大動作速度840Mbps
  • 小型チップ・サイズ・パッケージ対応

ラティスXP2
デバイス XP2-5 XP2-8 XP2-17 XP2-30 XP2-40
電源電圧(V) 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2
LUT(K) 5 8 17 29 40
Max.Distributed Memory
(分散メモリ)(K bits)
10 18 35 56 83
Embedded SRAM
(組み込ブロックメモリ)(K bits)
166 221 276 387 885
Embedded SRAM Blocks
(組み込ブロックメモリブロック数)
9 12 15 21 48
GPLL 2 2 4 4 4
I/O
パッケージ&I/O数
132-ball csBGA(88 mm) 86 86 - - -
144-pin TQFP(2020 mm) 100 100 - - -
208-pin PQFP(2828 mm) 146 146 146 - -
256-ball fpBGA(1717 mm) 172 201 201 201 -
484-pin fpBGA(2323 mm) - - 358 363 363
672-pin fpBGA(2727 mm) - - - 472 540

Lattice XP FPGA

概要

  • 富士通のCS90F130nmテクノロジーで製造されている

特徴

  • アーキテクチャー:汎用型(4入力)LUTベース
  • 不揮発性技術
  • メモリ:不揮発メモリによる再構成が可能
    不揮発性FLASHセルとSRAM技術の組み合わせで、シングル・チップ・ソリューションを提供し、インスタント・オンと不揮発性の機密保護機能で安全性を備える
  • 電源オン・即動作
    TransFRテクノロジーにより、フィールドでのロジック更新を容易にする
  • その他
    低消費電力:スタンバイ電流を1スラッシュ100に抑えるスリープモード
    メモリ:組込みブロックメモリと最大79kbits分散メモリ
    動作周波数:225MHz
    複数の電源オプション付き(1.2スラッシュ1.8スラッシュ2.5スラッシュ3.3V)
ラティスXP
デバイス LFXP3 LFXP6 LFXP10 LFXP15 LFXP20
電源電圧(V) 1.2/1.8/
2.5/3.3
1.2/1.8/
2.5/3.3
1.2/1.8/
2.5/3.3
1.2/1.8/
2.5/3.3
1.2/1.8/
2.5/3.3
LUT(K) 3.1 5.8 9.7 15.4 19.7
Max.Distributed Memory
(分散メモリ)(K bits)
12 23 39 61 79
Max.Distributed Memory
(組み込ブロックメモリ)(K bits)
54 90 216 288 414
Embedded SRAM Blocks
(組み込ブロックメモリブロック数)
6 10 24 32 46
GPLL 2 2 4 4 4
I/O
パッケージ&I/O数
100-pin TQFP(1414mm) 62 - - - -
144-pin TQFP(2020mm) 100 100 - - -
208-pin PQFP(2828mm) 136 142 - - -
256-ball fpBGA(1717mm) - 188 188 188 188
388-ball fpBGA(2323mm) - - 244 268 268
484-pin fpBGA(23 23mm) - - - 300 340